NIKKEI——日本經濟新聞中文版

       半導體的電晶體（元件）是長的，一直採用平面型結構。從過去約10年的尖端産品來看，自從美國英特爾在22奈米半導體上採用“FinFET結構”以來，就一直採用這種結構。臺積電（TSMC）2022年底開始量産的3奈米半導體也採用FinFET結構。但是，如果低於2奈米，就不得不改變元件結構。原因是現有結構難以進一步提高性能。

       半導體借助通電時打開、不通電時關斷等方式來進行計算。由被稱為柵極（gate）的調節閥來控制是否通電。FinFET結構是在電流通道的四個側面中，柵極堵住三個方向。

       隨著半導體的微細化，柵極也會變得細小，控制能力減弱。如果比2奈米半導體更小，沒有以柵極堵住的地方的電流泄漏將增加。這樣會浪費電力，難以提高節能性能。而“全環繞柵極”則是將四個方向都用柵極圍起來，以防止泄漏。

       IBM留下的研發部門

       IBM在2015年因虧損而出售了半導體製造部門。為什麼現在卻成了Rapidus的領路人呢？其背景在於，IBM為了強化伺服器等的競爭力，留下了研發部門。

       實際上，IBM在2010年代後半期的5年裏投入30億美元，持續開發最尖端半導體。這成為目前的盈利來源雲業務等的基礎，IBM像重視量子電腦和AI等那樣，同等地重視半導體。IBM研究部門的副總裁穆克什·哈雷（Mukesh Khare）表示，“最尖端半導體對IBM的基礎設施業務來説是不可或缺的”。

       接手其製造部門的格羅方德（GlobalFoundries）于2023年4月起訴IBM，稱其在出售後繼續不當使用智慧財産權和商業秘密。不過，熟悉美國智慧財産權訴訟的日本律師一色太郎表示，“作出判決至少需要2~3年”，在此基礎上表示“技術日趨錯綜複雜，證明格羅方德説法的難度很大”。

       企業正在等待2奈米半導體問世。日本Preferred Networks正在開發自主半導體，以實現高性能的人工智慧。該公司首席執行官（CEO）西川徹針對Rapidus表示期待稱，“似乎能夠靈活地定制（半導體），非常感興趣”。

       要想實現實用化，Rapidus需要克服很大障礙。舉例而言，如果Rapidus不能為使用半導體的企業充實支援電路設計的功能，就無法順利獲得訂單。此外，確保人才的競爭也日趨激烈。剛剛開始的與IBM的合作只是漫長道路上的一步。

       在微細化競爭中被甩開的日本企業

       半導體的整合度每2年翻一番。使這一“摩爾定律”成立的是微細化技術。不過，過去20年需要原子級的製造技術，實現這一目標的投資已膨脹至以萬億日元為單位的水準。目前，運作最先進生産線的企業實際上只有兩家。Rapidus面臨一場殘酷的比賽。