NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      源自日本東京大學的企業Gaianixx開發出了用於製造調節電壓和電流的功率半導體、名為“中間膜”的材料。可以在廉價的硅基板上疊加碳化矽（SiC）等，預計功率半導體的製造成本將減少75%左右。這有可能推動純電動汽車（EV）等的高性能化。

       功率半導體被認為有助於提高純電動汽車的續航里程，促進電子産品的小型化。與屬於主流材料的硅相比，性能更優越的碳化矽、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（Ga₂O₃）等的洽購增加。例如，在半導體功能所需的電氣特性方面，碳化矽的性能被認為是硅的約3倍。即使在高溫下，電流也很少泄漏，因此不容易發生誤啟動。

       另一方面，這些新材料的供應量很小，每平方釐米基板的價格達到硅（不到100日元）的數倍到400倍。在需求不斷擴大的背景下，控製成本成為緊要課題。

       如果使用中間膜，則可在廉價的硅基板上堆疊碳化矽等薄膜。這是因為中間膜會隨著不同材料的原子的排列方式而改變形狀，從而防止引發缺陷和性能下降的“變形”的發生。與將薄膜疊加在相同材料的基板上的傳統方法相比，製造成本可降至約四分之一。

Gaianixx的中間膜有助於降低製造成本

       Gaianixx將在2025年之前形成年産約2萬枚中間膜的産能。通過以風投公司JIC Venture Growth Investments和Alconix Ventures等為受讓方的第三方定向增發，籌集了3.5億日元，用於量産投資。

       Gaianixx的首席科學官（CSO）木島健還擔任東京大學特任研究員，一直在開發調整不同材料的原子結構錯位的中間膜。此次運用了30多年的研究成果。

       首先瞄準日本國內大型半導體廠商的需求，還考慮向海外廠商銷售。該公司社長兼首席執行官（CEO）中尾健人認為，“如果能夠使用更多的新材料，就能加速新一代功率半導體的普及”。

       富士經濟的估算顯示，由碳化矽等製造的新一代半導體的世界市場規模到2035年將達到3.4579萬億日元，增至2023年的8.8倍。為了抓住增長市場，初創企業正在展開行動。