NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      在此背景下，在水準和縱向兩方向增加整合度的方法受到關注。目前正在以2個方向推進開發。

      其一是改變半導體元件的結構。目前，一種被稱為鰭式場效應電晶體（FinFET）正在不斷改良，還有一種使電晶體縱向整合的結構技術（環繞式柵極技術、gate-all-around，簡稱GAA)。製程的難度會更高，但元件的整合度也會更高。與此前相比，“漏電”更容易得到控制。IBM的尖端晶片也採用了GAA結構。

      另一個則是整合IC晶片的方法，而不是整合元件。通過將大量晶片結合起來的“芯粒”（Chiplet）形式，可以獲得高於縱向堆疊的性能。只要克服熱控制等課題，今後晶片的核心部分可以採用尖端技術，周邊部分採用落後技術等。能以更廉價的成本實現與此前相同的性能。

      量産面臨阻礙

      由於屬於新技術，兩者為實現量産而必須跨越的技術阻礙都很高。在此情況下，對支撐製程的設備企業的期待也隨之提高。臺積電（TSMC）在日本茨城縣築波市新建了“TSMC日本3DIC研究開發中心”，原因之一就是日本匯聚了半導體製造設備和原材料企業。

      有能力量産尖端半導體的企業已從此前的歐美和日本轉移至臺積電和三星電子等所在的東亞。不過，實現量産工序的製造設備仍處於由日美歐壟斷的狀態。美國的安全和新興技術研究中心(CSET)的統計顯示，從設備市場的份額（按金額計算）來看，日美歐的企業掌握88％。日本企業掌握29％。

      新製程的確立離不開設備企業。典型的是荷蘭的阿斯麥（ASML）。阿斯麥實現了超微細加工不可或缺的“極紫外（EUV）”光刻的實用化。總市值截至2022年4月底超過了2300億美元，10年時間增至10倍以上。

      極紫外光刻機對於日本的半導體産業來説曾是慘痛的回憶。率先提出該技術的是1986年任職于NTT的木下博雄。雖然日本有佳能和尼康等光刻機廠商，但技術依然處於下風。