NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      碳化矽功率半導體的增産投資也十分活躍。英飛淩在馬來西亞投資2800億日元建廠，打算2024年投産。意法半導體在義大利建設的新廠房將於2023年投入使用。

      不過，在製造設備的設置等方面，碳化矽功率半導體需要進行與使用矽的傳統半導體生産不同的設置。即便建設了工廠，生産線也需要花費以年為單位的時間才能正式投産。

      羅姆計劃2022年搶在世界大型企業前提高産能。使新廠房儘快步入正軌，以獲得大型訂單等，能在多大程度上率先抓住客戶將對公司發展起到關鍵作用。

      圍繞新一代功率半導體，使用化合物「氮化鎵（GaN）」的基板開發也備受關注。其頻率高於碳化矽，可以縮小充電器的尺寸或者減少零部件的數量。雖然碳化矽半導體在量産方面處於領先地位，但如果氮化鎵的開發取得進展，就會成為與碳化矽競爭的半導體。

      打算憑藉碳化矽功率半導體來實現增長的羅姆，可以説是在和時間賽跑。

      日本經濟新聞（中文版：日經中文網）京都支社 新田榮作