NIKKEI——日本經濟新聞中文版

      針對AlN部分的厚度為0.5mm的（使用新開發的AlN基板製成的）金屬鍍膜基板，進行了從攝氏零下40度到零上150度的冷熱迴圈試驗，結果迴圈超過3000次，都沒有發生斷裂。而採用傳統AlN基板的金屬鍍膜基板，在AlN部分的厚度為0.635mm，實施同樣的冷熱迴圈試驗下，迴圈600次就發生了斷裂。

    厚度不到一半的熱界面材料

      此次開發的散熱片是適用於冷卻CPU（中央處理器）及GPU（圖形處理器）等的TIM（熱界面材料）墊片。特點是比傳統TIM墊片更薄。普通TIM墊片的厚度為0.5mm左右，而開發品的厚度只有0.2mm，因此可以降低熱阻。

添加了「Thermalnite」的TIM墊片只有0.2mm厚（攝影：日經XTECH）

      之所以能減薄，是因為機械強度高。如果強度低，則容易斷裂，導致加工困難。

      在TIM墊片中添加的「Thermalnite」呈纖維狀，因此可以增加機械強度。機械強度增加到接近原來2倍。「Thermalnite」也使導熱率提高到了5W/m·K。

      U-MAP將於2024年量産AlN基板。生産將由合作夥伴岡本硝子進行。TIM墊片的産品化也正不斷推進，計劃2023年內供貨樣品。據説最快2024年下半年實現量産。

    關鍵詞：氮化鋁（AlN） 

      氮化鋁（AlN）：鋁與氮的化合物。同時具有電絕緣性以及像鋁一樣的高導熱性。氮化鋁被用於封裝功率半導體的絕緣基板及封裝雷射元件的Submount（基臺）等。添加雜質後，可以作為半導體使用。由於其禁頻寬度非常大，因此用於發射短波長紫外線（遠紫外線）的元件和功率半導體。AlN有比SiC（碳化矽）更大的禁頻寬度，介電強度高，因此理論上被認為可以製作比SiC更低損耗的功率半導體元件。

      根津禎 日經XTECH

      資料來源：日經XTECH

      https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/08308/

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